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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：描述了主动控制径向蚀刻均匀度的系统和方法。所述方法包含产生具有基频的射频RF信号以及产生具有谐波频率的另一RF信号。控制该另一RF信号的谐波频率、或相位、或参数水平、或其组合以控制等离子体室内的RF等离子体鞘的谐波，从而实现径向蚀刻均匀度。
主权项：1.一种用于控制径向蚀刻均匀度的控制器，其包含：处理器，其被配置成：控制第一射频RF电源以产生具有基频与第一相位的第一RF信号；控制第二RF电源以分别基于所述基频与所述第一相位产生具有n-1次谐波频率与第二相位的第二RF信号，其中n为大于2的整数；控制第三RF电源以分别基于所述基频与所述第一相位产生具有n次谐波频率与第三相位的第三RF信号；其中所述第一、所述第二、所述第三RF信号被产生以被供给至RF匹配装置，其中所述第一RF信号被所述RF匹配装置修改以提供第一经修改的信号，其中所述第二RF信号被所述RF匹配装置修改以提供第二经修改的信号，并且所述第三RF信号被所述RF匹配装置修改以提供第三经修改的信号，其中所述第一、第二和第三经修改的信号在所述RF匹配装置内被组合以输出组合的RF信号，其中所述组合的RF信号被输出以提供至等离子体室的电极以控制衬底表面各处的所述径向蚀刻均匀度；以及存储器装置，其耦合到所述处理器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 对径向蚀刻均匀度的主动控制
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