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申请/专利权人：山东有研艾斯半导体材料有限公司
摘要：本发明公开了一种改善硅片边缘抛光质量的方法，包括以下步骤：1选取两种不同材质的边缘抛光布，分别贴附于抛光鼓一和抛光鼓二上；2对贴附好的边缘抛光布进行抛光液浸润处理，浸润时间为10‑30min；3使用抛光鼓一对硅片进行预处理边缘抛光，边缘抛光时对硅片施加的压力为10‑30N，边缘抛光时间为10‑100s；4使用抛光鼓二对硅片进行最终边缘抛光，边缘抛光时对硅片施加的压力为40‑60N，边缘抛光时间为10‑100s。本发明的方法实用性强，能够在短时间内获得无缺陷的良好边缘形貌的硅片，工艺流程简单，成本低，效果明显，在半导体领域具有良好的应用前景。
主权项：1.一种改善硅片边缘抛光质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：1选取两种不同材质的边缘抛光布，分别贴附于抛光鼓一和抛光鼓二上；2对贴附好的边缘抛光布进行抛光液浸润处理，浸润时间为10-30min；3使用抛光鼓一对硅片进行预处理边缘抛光，边缘抛光时对硅片施加的压力为10-30N，边缘抛光时间为10-100s；4使用抛光鼓二对硅片进行最终边缘抛光，边缘抛光时对硅片施加的压力为40-60N，边缘抛光时间为10-100s。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东有研艾斯半导体材料有限公司 一种改善硅片边缘抛光质量的方法
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