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申请/专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要：本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括衬底以及在衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，MOS器件还包括：栅氧层，栅氧层至少与源区接触，栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料，第一方向平行于衬底与漂移层接触的表面。该MOS器件包括不同绝缘材料的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层在平行于衬底与漂移层接触的表面上交替设置，采用常规的栅氧和高K介质材料替换单一的栅氧，提高耐击穿属性，降低介质层中的电场强度，减弱FN隧穿电流，提高栅介质可靠性。以解决相关技术中栅氧在高压场合下容易击穿导致可靠性的问题。
主权项：1.一种MOS器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，所述MOS器件还包括：栅氧层，所述栅氧层至少与所述源区接触，所述栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层和所述第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料，所述第一方向平行于所述衬底与所述漂移层接触的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司 MOS器件及其制备方法
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