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申请/专利权人：广东省科学院半导体研究所
摘要：本发明公开一种储能陶瓷材料及其制备方法以及高储能密度陶瓷电容器电介质的制备方法，其中，储能陶瓷材料的通式为1‑yBi0.5Na0.51‑xAxDE3‑yG；其中，D为Ti元素，E为O元素；ADE3为能够提高Bi0.5Na0.5TiO3的稳定性的改性剂通式，以得到具有准同型相界的Bi0.5Na0.51‑xAxDE3；G为能够在所述准同型相界处引入的弛豫剂通式；x的取值范围为0.06≤x≤0.25，y的取值范围为0＜y≤0.18。由于Bi0.5Na0.5TiO3经过改性剂的改性后结构更加稳定了，并且还具有了准同型相界，使得可以通过在准同型相界中引入弛豫剂来提高材料的性能。
主权项：1.储能陶瓷材料，其特征在于，所述材料的通式为1-yBi0.5Na0.51-xAxDE3-yG；其中，D为Ti元素，E为O元素；ADE3为能够提高Bi0.5Na0.5TiO3的稳定性的改性剂通式，以得到具有准同型相界的Bi0.5Na0.51-xAxDE3；G为能够在所述准同型相界处引入的弛豫剂通式；x的取值范围为0.06≤x≤0.25，y的取值范围为0＜y≤0.18。
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百度查询： 广东省科学院半导体研究所 储能陶瓷材料及其制备方法以及高储能密度陶瓷电容器电介质的制备方法
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