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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种套刻误差补偿方法，涉及半导体技术领域，用于解决套刻误差的准确性差的技术问题。该套刻误差的修正方法包括：获取晶圆的待处理层的第三对准标记相对于目标层的第一对准标记的第一套刻误差值；获取晶圆的待处理层的第三对准标记相对目标层的第二对准标记的第二套刻误差值，其中，第一对准标记与第二对准标记间隔排布；根据第一套刻误差值和第二套刻误差值，确定晶圆的待处理层的第三对准标记相对于第一对准标记和第二对准标记的实际套刻误差值；根据实际套刻误差值，分别对第一套刻误差值和第二套刻误差值进行补偿。本公开能够保证待处理层的第三对准标记均能与目标层的第一对准标记和第二对准标记对准。
主权项：1.一种套刻误差补偿方法，其特征在于，包括：获取晶圆的待处理层的第三对准标记相对于目标层的第一对准标记的第一套刻误差值；获取晶圆的待处理层的第三对准标记相对所述目标层的第二对准标记的第二套刻误差值，其中，所述第一对准标记与所述第二对准标记间隔排布；根据所述第一套刻误差值和所述第二套刻误差值，确定所述晶圆的待处理层的所述第三对准标记相对于所述第一对准标记和所述第二对准标记的实际套刻误差值；根据所述实际套刻误差值，分别对所述第一套刻误差值和所述第二套刻误差值进行补偿。
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权利要求：
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