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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供一种深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构，具体涉及半导体技术领域。所述制备方法包括：提供衬底，该衬底上形成有深沟槽；在深沟槽的侧壁及深沟槽两侧的衬底上形成绝缘介质层，并向深沟槽底部的衬底内注入离子；在深沟槽内形成第一多晶硅层，并向第一多晶硅层注入离子，形成第一掺杂多晶硅层；在第一掺杂多晶硅层内填充绝缘物质层；在深沟槽的顶部形成第二掺杂多晶硅层，以使第二掺杂多晶硅层与第一掺杂多晶硅层共同包覆绝缘物质层形成闭合的导电层。该方法制得的DTI结构降低了多晶硅层的电阻，提升了导通能力，并且避免空洞裂缝缺陷对多晶硅阻值的影响。
主权项：1.一种深沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上形成有深沟槽；在所述深沟槽的侧壁及所述深沟槽两侧的所述衬底上形成绝缘介质层，并向所述深沟槽底部的衬底内注入离子；在所述深沟槽内形成第一多晶硅层，并向所述第一多晶硅层注入离子，形成第一掺杂多晶硅层；在所述第一掺杂多晶硅层内填充绝缘物质层；在所述深沟槽的顶部形成第二掺杂多晶硅层，以使所述第二掺杂多晶硅层与所述第一掺杂多晶硅层共同包覆所述绝缘物质层形成闭合的导电层。
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百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 深沟槽隔离结构的制备方法及深沟槽隔离结构
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