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申请/专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
摘要：本发明具体公开了一种量子点雪崩光电二极管及其制备方法，将半绝缘GaAs衬底送入MBE腔，利用MBE腔内高温去除半绝缘GaAs衬底表面的氧化层，在去除表面氧化层的半绝缘GaAs衬底上依次生长GaAsN型接触层、低掺杂GaAsN型缓冲层、InAsGaAs量子点倍增放大层、GaAs电荷控制层、无掺杂Ge吸光层、P型Ge缓冲层、P型Ge接触层，从而获得基于GaAs衬底的量子点雪崩光电二极管。通过在增益放大区引入InAs量子点材料可显著增加材料中电子空穴离化率比值，降低雪崩光电二极管的噪声，从而显著增加探测器的灵敏度和速率。
主权项：1.一种量子点雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、将半绝缘GaAs衬底送入MBE腔，利用MBE腔内高温去除半绝缘GaAs衬底表面的氧化层；S2、在去除表面氧化层的半绝缘GaAs衬底上生长一层GaAsN型接触层；S3、在GaAsN型接触层上生长一层低掺杂GaAsN型缓冲层；S4、在低掺杂GaAsN型缓冲层上生长InAsGaAs量子点倍增放大层；S5、在InAsGaAs量子点倍增放大层上外延生长一层GaAs电荷控制层；S6、在GaAs电荷控制层上生长一层无掺杂Ge吸光层；S7、在无掺杂Ge吸光层上生长一层P型Ge缓冲层；S8、在P型Ge缓冲层上生长一层P型Ge接触层，从而获得基于GaAs衬底的量子点雪崩光电二极管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南汇思光电科技有限公司 一种量子点雪崩光电二极管及其制备方法
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