龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：深圳长城开发科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种快速查找QFP封装芯片微安级过电应力损伤点的方法，该方法首先将芯片背面进行研磨，露出所述绑定线和衬底层后进行漏电定位锁定漏电区域，解决了业内QFP封装芯片正面扎针可能损害晶圆的缺陷，同时也解决了金属层遮挡导致的漏电定位困难问题；然后提出根据微安级过电应力损伤特点损伤在器件层直接去层到底部器件层，在去层过程中将机械研磨和化学腐蚀结合，研磨出现层差后进行化学腐蚀，可以加速化学腐蚀的速度，使器件层以上的金属层和介质层快速脱落，提升了查找器件晶圆微安级过电应力损伤点的效率；进一步优选地，通过指套研磨避免了手指研磨过程对操作人员的损伤，保证了研磨质量，解决小尺寸晶圆研磨跑飞等问题。
主权项：1.一种快速查找QFP封装芯片微安级过电应力损伤点的方法，所述芯片包括金属框架7、设置在所述金属框架7正面的晶圆、包裹所述金属框架7和所述晶圆的塑封材料层8、连接晶圆正面的绑定线6，所述晶圆包括从其正面往背面方向依次层叠设置的衬底层1、集成电路器件层2、相互间隔的多层介质层3和多层金属层4、保护层5，其特征在于，所述方法包括：步骤1：将所述芯片背面进行研磨，去除所述金属框架7，露出所述绑定线6和衬底层1后进行漏电定位锁定漏电区域；步骤2：将步骤1中研磨之后的样品开封去除塑封材料层8和绑定线6，取出所述晶圆；步骤3：将步骤2中取出的样品进行机械研磨，使所述晶圆拐角和边缘出现层差；步骤4：将步骤3中的研磨出层差的样品通过化学腐蚀方式去除所述集成电路器件层2正面上方的所有结构；步骤5：将步骤4中腐蚀完成之后的样品对照锁定的漏电区域，对所述集成电路器件层2进行微观形貌检查，查找损伤点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳长城开发科技股份有限公司 一种快速查找QFP封装芯片微安级过电应力损伤点的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号