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申请/专利权人：福建省福联集成电路有限公司
摘要：本发明提出了一种不同线宽器件同步制程方法，包括以下步骤：1、在晶圆上表面涂布一层E‑beam光阻，经E‑beam描写和显影，形成第一线宽凹槽和第二线宽凹槽；2、再涂布一层I‑line光阻A；3、进行曝光、显影，只保留第二线宽凹槽的两内侧面和顶部的I‑line光阻；4、采用软烤，使保留的I‑line光阻A形貌更平滑；5、再涂布一层新的I‑line光阻B；6、进行曝光、显影，对应形成第三线宽顶凹槽和第四线宽顶凹槽，7、进行金属蒸镀；8、去除多余金属，再去除所有光阻。本发明的方法只要一道工序即可完成两种线宽制程，只需要一次蒸镀，工序简单紧凑，节省生产成本，效率高，精度高。
主权项：1.一种不同线宽器件同步制程方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：在晶圆上表面涂布一层E-beam光阻，经E-beam描写和显影，形成第一线宽凹槽和第二线宽凹槽，第一线宽凹槽的宽度小于第二线宽凹槽，第一线宽凹槽精准形成，第二线宽凹槽经E-beam大能量写开即可；步骤二：再涂布一层I-line光阻A；步骤三：采用I-line对I-line光阻A进行曝光、显影，只保留第二线宽凹槽的两内侧面和顶部的I-line光阻A；步骤四：采用软烤，使保留的I-line光阻A形貌更平滑，防止金属蒸镀时产生金属裂纹；步骤五：再涂布一层新的与I-line光阻A不同的I-line光阻B；步骤六：采用I-line对第一线宽凹槽和第二线宽凹槽上方的I-line光阻B进行曝光、显影，对应形成第三线宽顶凹槽和第四线宽顶凹槽，步骤七：进行金属蒸镀，在第一线宽凹槽和第一线宽上凹槽内形成金属结构I，同时也在第二线宽凹槽和第二线宽上凹槽内形成金属结构II；步骤八：将金属结构I和金属结构II以外的多余金属去除，再去除剩余的I-line光阻B、I-line光阻A和E-beam光阻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建省福联集成电路有限公司 一种不同线宽器件同步制程方法
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