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申请/专利权人：赛普拉斯半导体公司
摘要：提供了单轨开关调节器和方法。开关调节器包括：分离轨参考发生器，其耦接在电池电压VBAT与地之间并且包括用于生成浮置轨参考电压VSSHV_REF的浮置轨发生器、用于生成固定轨参考电压VDD_REF的固定轨发生器；电流吸收I‑sink缓冲器，其用于接收VSSHV_REF并在浮置轨上生成浮置轨电压以向与开关调节器一起形成在IC上的逻辑器件供电；以及高侧开关晶体管，其包括耦接在VBAT与地之间的源极和漏极以及耦接至浮置轨的栅极。浮置轨参考发生器可操作以针对1.8V和4.8V之间的VBAT生成等于VBAT–1.8V的VSSHV_REF，并且针对小于1.8V的VBAT生成等于0V的VSSHV_REF。开关调节器还包括低压降调节器，其可操作以接收VDD_REF并对形成在IC上的使用固定电压的数字器件供电。
主权项：1.一种开关调节器，包括：耦接在电池电压VBAT与地之间的分离轨参考发生器，所述分离轨参考发生器包括：浮置轨发生器，其可操作以生成浮置轨参考电压VSSHV_REF；以及恒定轨参考发生器，其可操作以生成固定轨参考电压VDD_REF；耦接在VBAT与地之间的电流吸收I-sink缓冲器，所述I-sink缓冲器可操作以接收所述VSSHV_REF并且在浮置轨上生成浮置轨电压VSSHV以对使用VSSHV并且与所述开关调节器一体形成在集成电路IC芯片上的逻辑器件供电；以及高侧开关晶体管，其包括耦接在VBAT与地之间的源极和漏极以及耦接至所述浮置轨的栅极，其中，所述浮置轨参考发生器可操作以针对在1.8V与4.8V之间的VBAT生成等于VBAT–1.8V的VSSHV_REF，并且针对小于1.8V的VBAT生成等于0V的VSSHV_REF。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 赛普拉斯半导体公司 具有低功率单轨架构的开关调节器
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