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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法，在衬底上生长有主枝纳米线，该方法包括：将沉积新的Ⅲ族金属催化液滴附在主枝纳米线表面，驱动催化液在主枝纳米线表面从能量高的方向转移到更低表面能的方向，通过控制生长环境，使得分枝纳米线沿着能量更低的方向生长。还提供一种Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线，由上述的生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法得到。可以在不引入应力和缺陷的技术上可以获得分枝纳米线，这不仅解决的了分枝纳米线生长过程中引入缺陷导致的载流子损失的问题，还可以通过控制生长条件精确控制次级纳米线生长的位置、密度。并且，生长出来的纳米线形状规则，便于与其他分枝纳米线连接形成三维结构。
主权项：1.一种生长Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线的方法，其特征在于，在衬底上生长有主枝纳米线，该方法包括：通过控制生长环境，改变纳米线主枝的表面的表面能，使得分枝纳米线沿着低表面能的方向生长，所述低表面能的地方是无缺陷的纳米线表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 生长Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线的方法及Ⅲ-Ⅴ族分枝纳米线
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