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申请/专利权人：秀博瑞殷株式公社
摘要：本发明涉及一种遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制备的半导体基板及半导体器件，其中，提供规定结构的化合物作为遮蔽剂，基于所述遮蔽剂的吸附分布度差异，在基板上形成厚度均匀的堆积层作为遮蔽区域，从而减少薄膜的沉积速度，并适当地降低薄膜生长率，即使在结构复杂的基板上形成薄膜时，也具有能够显著提高台阶覆盖性stepcoverage及薄膜的厚度均匀性并减少杂质的效果。
主权项：1.一种遮蔽化合物，其特征在于，所述遮蔽化合物包含含有氮、氧、磷或硫中的两种以上且碳原子数为3至15的直链或环状饱和或不饱和烃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 秀博瑞殷株式公社 遮蔽化合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制备的半导体基板及半导体器件
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