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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：根据本公开的一个实施方式的存储装置1设置有：存储元件和参考元件，每个包括具有固定磁化方向的固定层、具有可变磁化方向的存储层、以及设置在固定层与存储层之间的绝缘层；基层例如，下绝缘层32，存储元件和参考元件设置在基层上；以及半导体基板200，基层被层压在半导体基板的表面200a上。基层具有倾斜于表面200a的第一倾斜表面M2和平行于表面200a的平坦表面M1或者以小于第一倾斜表面M2的倾斜角度的倾斜角度相对于表面200a倾斜的第二倾斜表面。存储元件设置在第一倾斜表面M2上。参考元件设置在平坦表面M1或第二倾斜表面上。
主权项：1.一种存储装置，包括：存储元件和参考元件，所述存储元件和所述参考元件均具有：固定层，所述固定层的磁化方向是固定的；存储层，所述存储层的磁化方向是能够改变的；以及绝缘层，所述绝缘层设置在所述固定层与所述存储层之间；基层，所述基层设置有存储元件和参考元件；以及半导体基板，所述半导体基板具有层压所述基层的表面，其中，所述基层具有：第一倾斜表面，所述第一倾斜表面相对于所述表面倾斜，以及第二倾斜表面，所述第二倾斜表面以比所述第一倾斜表面的倾斜角度小的倾斜角度相对于所述表面或与所述表面平行的平面倾斜，所述存储元件设置在所述第一倾斜表面上，并且所述参考元件设置在所述平面或所述第二倾斜表面上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 存储装置、电子装置及存储装置的制造方法
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