买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明公开了一种嵌入式外延层的沟槽的形成方法，包括：步骤一、提供形成有第一栅极结构的半导体衬底，在第一栅极结构的侧面形成有侧墙，侧墙包括氮化硅侧墙。步骤二、进行第一次干法刻蚀形成U型或球型沟槽。步骤三、对氮化硅侧墙和沟槽的表面的悬挂键进行饱和氧化。步骤四、将半导体衬底经历一个等待过程。在等待过程中，饱和氧化层用于防止悬挂键被自然氧化。步骤五、进行第二次湿法刻蚀，第二次湿法刻蚀采用DHF刻蚀加TMAH刻蚀。本发明能稳定作为沟槽刻蚀中的硬质掩膜层的氮化硅侧墙的湿法刻蚀量，从而提升器件的嵌入式外延层到栅极结构之间的间距均匀性，从而使器件的电学性能稳定。

主权项：1.一种嵌入式外延层的沟槽的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供形成有第一栅极结构的半导体衬底，在所述第一栅极结构的侧面形成有侧墙，所述侧墙包括氮化硅侧墙；步骤二、以所述第一栅极结构侧面的所述氮化硅侧墙为自对准条件对所述半导体衬底进行第一次干法刻蚀形成沟槽，所述沟槽呈U型或球型；所述第一次干法刻蚀使所述氮化硅侧墙的表面以及所述沟槽的表面具有悬挂键；步骤三、对所述氮化硅侧墙和所述沟槽的表面的所述悬挂键进行饱和氧化并形成饱和氧化层；步骤四、将所述半导体衬底经历一个等待过程；所述等待过程的空闲时间小于等于许容时间；所述许容时间小于所述悬挂键被饱和自然氧化所需要的第一时间，在小于所述第一时间的条件下，所述悬挂键被自然氧化形成的自然氧化层的厚度随时间的增加而增加；在保证小于等于所述许容时间的条件下，所述空闲时间会根据生产线的实际情况变化；在所述等待过程中，所述饱和氧化层用于防止所述悬挂键被自然氧化，并从而防止出现所述空闲时间产生变化时，所述悬挂键形成的自然氧化层的厚度也产生变化，使所述空闲时间不同时，所述饱和氧化层的厚度一致；步骤五、进行第二次湿法刻蚀；所述第二次湿法刻蚀采用DHF刻蚀加TMAH刻蚀；所述DHF刻蚀用于去除所述饱和氧化层；所述TMAH刻蚀用于对所述沟槽表面暴露的所述半导体衬底进行继续刻蚀并使所述沟槽的体积得到扩展且使扩展后的所述沟槽的钻石型；所述第二次湿法刻蚀还会对所述氮化硅侧墙产生损耗，利用所述饱和氧化层的厚度随所述空闲时间的变化而不变的特点，使所述氮化硅侧墙所损耗的厚度随所述空闲时间的变化而不变。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 嵌入式外延层的沟槽的形成方法