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申请/专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司

摘要：本发明属于肖特基二极管技术领域，具体涉及一种低漏电GaN肖特基二极管及其制备方法。本发明提供的低漏电GaN肖特基二极管，包括：衬底；设置在衬底上表面的N+GaN层，所述N+GaN层由一个平面层以及一体设置于所述平面层上的凸台构成；覆盖在凸台上表面的N‑GaN层；设置在N‑GaN层部分上表面、N‑GaN层侧壁、凸台侧壁、平面层部分上表面的P型GaN层；设置在N‑GaN层剩余上表面的肖特基电极；设置在平面层剩余上表面的欧姆电极；且P型GaN层与肖特基电极以及欧姆电极均不接触。本发明提供的低漏电GaN肖特基二极管能有效阻止侧壁的漏电通道，从而有效降低反向漏电流。

主权项：1.一种低漏电GaN肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底上表面的N+GaN层，所述N+GaN层由一个平面层以及一体设置于所述平面层上的凸台构成；覆盖在所述凸台上表面的N-GaN层；设置在所述N-GaN层部分上表面、所述N-GaN层侧壁、所述凸台侧壁、所述平面层部分上表面的P型GaN层；设置在所述N-GaN层剩余上表面的肖特基电极；设置在所述平面层剩余上表面的欧姆电极；且所述P型GaN层与所述肖特基电极以及欧姆电极均不接触；所述P型GaN层和所述肖特基电极的间隙≥5μm；所述P型GaN层和所述欧姆电极的间隙≥5μm；所述P型GaN层的材料为Mg掺杂的GaN，所述Mg掺杂的GaN中Mg元素的掺杂浓度＞1×1018cm-3；所述低漏电GaN肖特基二极管的制备方法，包括以下步骤：在所述衬底上表面依次外延生长初始N+GaN层和初始N-GaN层；按照所述N+GaN层和N-GaN层的形状和结构对所述初始N+GaN层和初始N-GaN层进行刻蚀，得到所述N+GaN层和N-GaN层；在所述N-GaN层部分上表面和所述平面层部分上表面制备硬掩模板，然后在所述N-GaN层剩余上表面、所述N-GaN层侧壁、所述凸台侧壁、所述平面层剩余上表面进行离子注入，得到第一半成品；将所述第一半成品在保护气体气氛中进行退火处理，得到P型GaN层，得到第二半成品；将所述第二半成品去除所述硬掩模板后制备肖特基电极和欧姆电极，得到所述低漏电GaN肖特基二极管。

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