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申请/专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明提供的一种绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，绝缘埋层位于第一衬底和第二衬底之间；从键合结构上剥离去除部分厚度的第一衬底，以得到第一薄膜；在第一温度下第一次刻蚀第一薄膜，以去除第一厚度的第一薄膜；在第二温度下第二次刻蚀第一薄膜，以平坦化处理第一薄膜，并去除第二厚度的第一薄膜，第一温度小于第二温度，第一厚度大于第二厚度，第一厚度和第二厚度为第一薄膜的总刻蚀厚度。本发明通过先在第一温度下刻蚀减薄第一薄膜，再在第二温度下平坦化处理所述第一薄膜，同时达到第一薄膜的目标厚度，使得在平坦化处理顶层硅的同时还可以提高顶层硅厚度均匀性。
主权项：1.一种绝缘体上硅结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一键合结构，所述键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，所述绝缘埋层位于所述第一衬底和第二衬底之间；步骤S2：从所述键合结构上剥离去除部分厚度的所述第一衬底，以得到第一薄膜；步骤S3：在第一温度下第一次刻蚀所述第一薄膜，以去除第一厚度的所述第一薄膜，其中，所述第一次刻蚀的工艺参数为：刻蚀温度为900℃～1000℃，第一载气的流量为40slm～120slm，第一刻蚀气体的体积分数低于1％；步骤S4：在第二温度下第二次刻蚀所述第一薄膜，以平坦化处理所述第一薄膜，并去除第二厚度的所述第一薄膜，其中，所述第一厚度大于第二厚度，所述第一厚度和第二厚度为所述第一薄膜的总刻蚀厚度，所述第二次刻蚀的工艺参数为：刻蚀温度高于1050℃，第二载气的流量为40slm～120slm，第二刻蚀气体的体积分数低于0.5％，且第二次刻蚀的刻蚀气体的体积分数低于第一次刻蚀的刻蚀气体的体积分数。
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权利要求：
百度查询： 上海新昇半导体科技有限公司 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种绝缘体上硅结构及其方法
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