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申请/专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要：本申请公开了一种本申请所提供的原子点缺陷的制备方法，包括：准备衬底；在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜，所述非晶体结构的薄膜在所述衬底的所述上表面呈岛状；对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理，在所述非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷。本申请中在制备原子点缺陷时，通过在准备好的衬底上生长非晶体结构的薄膜，由于薄膜是非晶体结构的，不需要考虑薄膜的晶体生长质量，非晶体结构的薄膜中不存在原子点缺陷，通过对非晶体结构的薄膜进行退火，激活非晶体结构的薄膜中的原子点缺陷，以及在非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷，从而得到原子点缺陷，本申请的制备方法工艺简单，制备难度低。本申请还提供一种具有原子点缺陷的结构。
主权项：1.一种原子点缺陷的制备方法，其特征在于，包括：准备衬底；所述衬底的厚度大于150μm；所述衬底为柔性衬底或者所述衬底为硬质衬底；在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜，所述非晶体结构的薄膜在所述衬底的所述上表面呈岛状；所述非晶体结构的薄膜中不具有原子点缺陷；非晶体结构的薄膜的生长速度为20nms；非晶体结构的薄膜的材料包括GaN、AlGaN、AlN；非晶体结构的薄膜厚度小于5μm；对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理，在所述非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷，并激活非晶体结构的薄膜中的原子点缺陷；在对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理时，退火温度为700℃，退火时间为20秒；所述在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜包括：采用原子层沉积技术、离子束沉积技术、磁控溅射技术中的任一种，在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种原子点缺陷的制备方法和具有原子点缺陷的结构
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