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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一基底，所述基底上形成有介质层；形成第一开口，所述第一开口贯穿所述介质层且暴露出所述基底；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述第一开口的侧壁与所述介质层的表面，并执行一热处理工艺致密化所述保护层；以致密化的所述保护层为掩膜刻蚀所述第一开口下的所述基底形成第二开口，所述第一开口侧壁与所述介质层表面仍保留部分厚度的所述保护层。所述第一开口和所述第二开口构成硅通孔。本发明形成第二开口时，由于第一开口的侧壁形成保护层，避免了位于第一开口侧壁的介质层在形成第二开口的刻蚀工艺中被刻蚀损伤，减少侧壁的粗糙度；同时保护层也起到保护缓冲作用，使得硅通孔刻蚀后的侧壁均匀光滑，提高了半导体器件的性能。
主权项：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底上形成有介质层，所述基底与所述介质层之间，和或所述介质层的上表面形成有导电薄膜层，所述导电薄膜层包括低k介质层与金属层依次交替层叠的堆叠结构；形成第一开口，所述第一开口贯穿所述介质层、所述导电薄膜层且暴露出所述基底；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述第一开口的侧壁，所述保护层还覆盖所述第一开口暴露出的所述导电薄膜层的侧壁，当所述基底与所述介质层之间形成有所述导电薄膜层时，所述保护层还覆盖所述介质层的上表面，当所述介质层的上表面形成有所述导电薄膜层时，所述保护层还覆盖所述介质层上表面上的所述导电薄膜层的上表面；并执行一热处理工艺致密化所述保护层；以致密化的所述保护层为掩膜刻蚀所述第一开口下的所述基底形成第二开口，所述第一开口侧壁仍保留部分厚度的所述保护层；当所述基底与所述介质层之间形成有所述导电薄膜层时，所述介质层上表面仍保留部分厚度的所述保护层，当所述介质层的上表面形成有所述导电薄膜层时，所述介质层上表面上的所述导电薄膜层上表面仍保留部分厚度的所述保护层。
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百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 半导体器件及其制作方法
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