买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：华南理工大学;西安近代化学研究所

摘要：本发明公开了一种短波红外发光有机二极管及其制备方法；其光辐射层包括受体‑给体‑受体结构A‑D‑A或者受体‑π‑给体‑π‑受体结构型A‑π‑D‑π‑A的有机共轭分子。本发明的有机发光二极管的电致发光波长范围处于1‑3微米区间的短波红外波段，具有高辐射度1瓦球面度平方米、低驱动电压0.8‑5伏特的启亮电压、耐受高电流密度可达安平方厘米量级、高辐照度0.5毫瓦平方厘米、低效率滚降以及光谱可连续调整、结构简单、工作寿命长、可溶液加工、可大面积加工等特点。

主权项：1.一种短波红外有机发光二极管，其特征在于，光辐射层包括受体-给体-受体结构或者受体-π-给体-π-受体结构型的有机共轭分子；所述受体-给体-受体结构或者受体-π-给体-π-受体结构型的有机共轭分子的结构通式为： 其中，CU为电子给体单元，a的取值范围为1～5；CE1、CE2为共轭拓展单元；EG1、EG2为电子受体单元；Bri1、Bri2为共轭链接基团，b的取值为0、1或2；发光波长范围处于1-3微米，最大辐射度1瓦球面度平方米；所述光辐射层中受体-给体-受体结构或者受体-π-给体-π-受体结构型的有机共轭分子的质量百分比为1-100％；所述CU的结构为： 式中，n、m、k、l表示烷环、芳香环或杂环上取代基团的数量，取值为0至最大可取代基团数；X，Y，Z独立取自氧原子、硫原子、硒原子；M选取自碳原子、硅原子；R1～R5表示该烷环、芳香环或杂环上的取代基团，可独立选自：氢原子；卤素取代基；C1～C50的烷基、烷氧基、烷硫基或含有卤素原子的烷基；C6～C50的芳基或杂环芳基，所述的芳基或杂环芳基上可以接有烷基、烷氧基、烷硫基；C2～C50的羰基，酯基，硝基，酰基或酰胺基，氰基或双氰基；所述CE1、CE2的结构式为： 式中，虚线键表示与Bri1、Bri2或EG1、EG2的键合位置；n、m、k表示烷环、芳香环或杂环上取代基团的数量，取值为0至最大可取代基团数；W，X，Y，Z独立取自氧原子、硫原子、硒原子；M选自碳原子、硅原子；R1～R6表示该烷环、芳香环或杂环上的取代基团，可独立选自：氢原子；卤素取代基；C1～C50的烷基、烷氧基、烷硫基或含有卤素原子的烷基；C6～C50的芳基或杂环芳基，所述的芳基或杂环芳基上可以接有烷基、烷氧基、烷硫基；C2～C50的羰基，酯基，硝基，酰基或酰胺基，氰基或双氰基；所述EG1、EG2的结构为： 式中，虚线键表示与分子Bri1，Bri2的键合位置；n、m、k表示烷环、芳香环或杂环上、取代基团的数量，取值为0至最大可取代基团数；W，X，Y，Z独立取自氧原子、硫原子、硒原子；M选自碳原子、硅原子；R1～R6表示该烷环、芳香环或杂环上的取代基团，可独立选自：氢原子；卤素取代基；C1～C50的烷基、烷氧基、烷硫基或含有卤素原子的烷基；C6～C50的芳基或杂环芳基，所述的芳基或杂环芳基上可以接有烷基、烷氧基、烷硫基；C2～C50的羰基，酯基，硝基，酰基或酰胺基，氰基或双氰基；所述Bri1,Bri2的结构为： 式中，虚线键表示与EG1、EG2和CE1、CE2的键合位置；n、m、k表示烷环、芳香环或杂环上取代基团的数量，取值为0至最大可取代基团数；X独立取自氧原子、硫原子、硒原子；M选自碳原子、硅原子；R1～R5表示该烷环、芳香环或杂环上的取代基团，可独立选自：氢原子；卤素取代基；C1～C50的烷基、烷氧基、烷硫基或含有卤素原子的烷基；C6～C50的芳基或杂环芳基，所述的芳基或杂环芳基上可以接有烷基、烷氧基、烷硫基；C2～C50的羰基，酯基，硝基，酰基或酰胺基，氰基或双氰基。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 西安近代化学研究所 一种短波红外发光有机二极管及其制备方法