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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方法，磁控溅射沉积装置中包括沉积腔室、靶材、磁控管及晶圆基座，沉积腔室的侧壁设置有靶材入口及靶材出口；靶材自靶材入口送入沉积腔室，以在沉积腔室的顶侧设置靶材，且通过靶材的运行，将靶材自靶材出口移出沉积腔室，以改变靶材在沉积腔室中的位置；磁控管位于沉积腔室中的靶材的上方，用于提供磁场；晶圆基座位于沉积腔室的底部，并与靶材相对设置，用于放置待沉积的晶圆。本发明在进行磁控溅射沉积时，可通过靶材的运行，改变靶材在沉积腔室中的位置，以提升靶材消耗的均匀性，从而可提高磁控溅射沉积的均匀性，达到均匀溅射的目的，以提高产能并降低制造成本。
主权项：1.一种磁控溅射沉积装置，其特征在于，所述磁控溅射沉积装置包括：沉积腔室，所述沉积腔室的侧壁设置有靶材入口及靶材出口；靶材，所述靶材为环形靶材，所述靶材自所述靶材入口送入所述沉积腔室，以在所述沉积腔室的顶侧设置所述靶材；所述沉积腔室的数量为2～8个，所述环形靶材依次贯穿多个所述沉积腔室，且通过所述靶材的运行，将所述靶材同时自多个所述靶材出口移出所述沉积腔室，以改变所述靶材在所述沉积腔室中的位置；磁控管，所述磁控管采用旋转式磁控管，位于所述沉积腔室中的所述靶材的上方，用于提供磁场；晶圆基座，所述晶圆基座采用旋转式晶圆基座，位于所述沉积腔室的底部并与所述靶材相对设置，用于放置待沉积的晶圆并使所述晶圆在沉积过程中随所述晶圆基座旋转。
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