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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体技术领域。其中，LED外延片的多量子阱层包括至少三个子层，每个子层包括周期性交替层叠的InGaN量子阱层和复合量子垒层；复合量子垒层包括依次层叠的第一N型GaN层、N型AlGaN层、第二N型GaN层和N型InGaN层；第二N型GaN层、N型InGaN层的N型掺杂浓度大于第一N型GaN层、N型AlGaN层的N型掺杂浓度；沿外延生长方向，不同子层中的量子阱层的生长温度先降低后升高。实施本发明，可以提升小电流密度下LED的发光效率。
主权项：1.一种LED外延片，其特征在于，包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱层和P型半导体层，所述多量子阱层包括至少三个子层，每个子层包括周期性交替层叠的量子阱层和复合量子垒层；所述量子阱层为InGaN量子阱层，所述复合量子垒层包括依次层叠的第一N型GaN层、N型AlGaN层、第二N型GaN层和N型InGaN层；第二N型GaN层、N型InGaN层的N型掺杂浓度大于第一N型GaN层、N型AlGaN层的N型掺杂浓度；沿外延生长方向，不同子层中的所述量子阱层的生长温度先降低后升高，不同子层中的所述复合量子垒层的生长速率减小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 LED外延片及其制备方法、LED
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