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申请/专利权人：重庆瑜欣平瑞电子股份有限公司

摘要：一种IGBT负压关断电路，包括驱动脉冲电流放大器U1，该驱动脉冲电流放大器U1包括第一端口、第二端口和输出端口A，输出端口A的第一支路依次经电阻R2和电阻R3和功率管V1的栅极相连，在电阻R2两端并联有二极管D3，该二极管D3的阳极与输出端口A相连；功率管V1的源级与接地端PGND相连，功率管V1的漏级与相连；输出端口A的第二支路经电阻R4与三极管G3的基极相连，该三极管G3的集电极经电阻R5与接地端PGND相连，该三极管G3的发射极经电阻R1与二极管D2的阴极相连，该二极管D2的阳极与输出端口A相连。

主权项：1.一种IGBT负压关断电路，包括驱动脉冲电流放大器U1和电容C2、该驱动脉冲电流放大器U1包括输入端口、输入接地端口、输出端口A、电源正端口和负电源端口，该输入端口与电阻R1的一端相连，该电阻R1的另一端用于接收PWMA信号，该输入接地端口与接地端GND相连，所述电容C2为驱动脉冲电流放大器U1的滤波电容，所述电容C2的一端与电源正端口相连，该电容C2的另一端与接地端PGND相连，其特征在于：所述驱动脉冲电流放大器U1的型号为LTV341，所述输出端口A的第一支路依次经电阻R2与电阻R3串联连接到功率管V1的栅极相连，在电阻R2两端并联有二极管D3，该二极管D3的阳极与输出端口A相连；该功率管V1的源级与接地端PGND相连，该功率管V1的漏级与负载RL的第一端相连，该负载RL的第二端与电源VDD相连；所述输出端口A的第二支路经电阻R4与三极管G3的基极相连，该三极管G3的集电极经电阻R5与接地端PGND相连；该三极管G3的发射极经电阻R1与二极管D2的阴极相连，该二极管D2的阳极与输出端口A相连；该三极管G3的发射极经电容C1与驱动脉冲电流放大器U1的负电源端口相连；该驱动脉冲电流放大器U1的负电源端口与二极管DW1的阳极相连，该二极管DW1的阴极与接地PGND，在所述二极管DW1的阳极端和阴极端之间并接电容C3。

全文数据：一种IGBT负压关断电路技术领域管本发明涉及MOSFET管或者IGBT管驱动领域，具体涉及一种IGBT负压关断电路。背景技术目前世面上的MOSFET\IGBT在驱动关断过程中，有三种关断方式。一是直接将Vgs电压下拉成低电平，二是将Vgs电压下拉成负电压，三是用变压器驱动。这其中第二、三种方式可靠性最高，能确保可靠关断。但是，后两种方式都要设计专门的负压电源，在同一个产品中，比方全桥开关电源，最少在设计时增加三路独立电源；在三相电机驱动电路中，最少在设计时增加四路独立电源。增加这些独立电源后，在设计PCB板时，考虑到每路的安全间距后走线麻烦且驱动线距较长，同时也容易引入干拢信号，可靠性就有所降低。发明内容本发明针对现有技术的不足，目的在于避免引入独立电源，导致引入独立电源后出现的一系列问题。因此，为了解决上述问题，本发明提出一种IGBT负压关断电路，具体技术方案如下：一种IGBT负压关断电路，包括驱动脉冲电流放大器U1，该驱动脉冲电流放大器U1和电容C2、该驱动脉冲电流放大器U1包括输出端口A、电源正端口和电源负端口，电容C2为驱动脉冲电流放大器U1的滤波电容，其特征在于：输出端口A的第一支路依次经电阻R2与电阻R3串联连接到功率管V1的栅极相连，在电阻R2两端并联有二极管D3，该二极管D3的阳极与输出端口A相连；该功率管V1的源级与接地端PGND相连，该功率管V1的漏级与负载RL相连；输出端口A的第二支路经电阻R4与三极管G3的基极相连，该三极管G3的集电极经电阻R5与接地端PGND相连；该三极管G3的发射极经电阻R1与二极管D2的阴极相连，该二极管D2的阳极与输出端口A相连；该三极管G3的发射极还接电容C1与驱动脉冲电流放大器U1的负电源端口相连；该驱动脉冲电流放大器U1的负电源端口与二极管DW1的阳极相连，该二极管DW1的阴极与接地PGND，在所述二极管DW1的阳极端和阴极端之间并接电容C3。进一步地：所述第一端口一支路经滤波电容C2与接地端PGND相连，所述第一端口另一支路与电源端口相连，该接地端PGND为功率地线参考点。进一步地：所述驱动脉冲电流放大器U1的型号为LTV341。进一步地：功率管V1为MOS管或者IGBT管。本发明的有益效果为：第一，在MOSFEG或者IGBT的关断过程中，利用驱动的正脉冲电压，自动产生负压关断，在设计时不需要增加独立电源供电。同时也减小了设计难度和生产工艺。第二、对PCB设计时，布线简化。第三、增加的元件紧靠MOSFET管或者IGBT管,布线短，抗干扰能力强。第四、电路工作更可靠。第五、本电路克服了变压器有负压驱动的缺点。附图说明图1为本发明电路结构图；图2为A点的波形图；图3为B点的波形图。具体实施方式下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。如图1至图3所示：一种IGBT负压关断电路，包括驱动脉冲电流放大器U1，在本实施例中为了方便的说明本实施例的工作原理，该驱动脉冲电流放大器U1采用的型号为LTV341。该驱动脉冲电流放大器U1和电容C2、该驱动脉冲电流放大器U1包括输出端口A、电源正端口和电源负端口，该电源负端口电压对应图1中E点电压，电容C2为驱动脉冲电流放大器U1的滤波电容，输出端口A的第一支路依次经电阻R2与电阻R3串联连接到功率管V1的栅极相连，在电阻R2两端并联有二极管D3，该二极管D3的阳极与输出端口A相连；该功率管V1的源级与接地端PGND相连，该功率管V1的漏级与负载RL相连；输出端口A的第二支路经电阻R4与三极管G3的基极相连，该三极管G3的集电极经电阻R5与接地端PGND相连；该三极管G3的发射极经电阻R1与二极管D2的阴极相连，该二极管D2的阳极与输出端口A相连；该三极管G3的发射极还接电容C1与驱动脉冲电流放大器U1的负电源端口相连；该驱动脉冲电流放大器U1的负电源端口与二极管DW1的阳极相连，该二极管DW1的阴极与接地PGND，在所述二极管DW1的阳极端和阴极端之间并接电容C3。电源正端口一支路经滤波电容C2与接地端PGND相连，电源正端口另一支路与电源端口相连，该接地端PGND为功率地线参考点。本发明原理：如图1所示，驱动脉冲电流放大器U1，A点为驱动脉冲电流放大器U1的输出端，滤波电容C2为驱动脉冲电流放大器U1的滤波电容，二极管D3、电阻R2和电阻R3是用于调节功率管V1的充放电时间。二极管D2、电阻R1、电容C1、三极管G3、电阻R4、电阻R5、电容C3和二极管DW1是产生负脉冲的元件。当第一正脉冲T1到来后，第一路通过二极管D3、电阻R2、电阻R3、功率管V1的GS到接地端PGND，驱动功率管V1导通。第二路经二极管D2、电阻R1、电容C1、二极管DW1正向、电容C3、接地端PGND给电容C1充电，因为R1*C1的时间常数远小于T1的脉宽，所以电容C1很快充满。此时，因三极管G3的发射结反偏截止。当第一正脉冲结束后，A点电压被拉成低电平，此时，三极管G3的发射结因正偏而导通。电容C1上的电流第一路经C点、三极管G3发射结、电阻R4、A点、驱动脉冲电流放大器U1的3脚和4脚，流入电容C1。第二路经C点、三极管G3的CE、电阻R5、P点、二极管DW1、E点流入电容C1。电阻R5很小，限制三极管G3中的电流不超过最大电流。第二路的电流流过二极管DW1时，对二极管DW1是反向的，只有当分配的电压大于二极管DW1的稳压值时才导通，且是左负右正，此时，驱动脉冲电流放大器U1内部的下管是完全导通，可能认为A点与E点直接连通，就是说此时A点为负，P点为正的电压；在本实施例中，电阻R3和电阻R2均在20欧以内，相对于IGBTMOSFET的GS电阻可以忽略不计，因为IGBTMOSFET的GS电阻是兆欧级。所以B点与A点电位一样，便在点B和点P间形成负电压。负电压的大小由稳压二极管DW1的稳压值决定，稳压值不能超过功率管V1的GS的反向耐压，一般取值不超过10V。

权利要求：1.一种IGBT负压关断电路，包括驱动脉冲电流放大器U1和电容C2、该驱动脉冲电流放大器U1包括输出端口A、电源正端口和电源负端口，电容C2为驱动脉冲电流放大器U1的滤波电容，其特征在于：输出端口A的第一支路依次经电阻R2与电阻R3串联连接到功率管V1的栅极相连，在电阻R2两端并联有二极管D3，该二极管D3的阳极与输出端口A相连；该功率管V1的源级与接地端PGND相连，该功率管V1的漏级与负载RL相连；输出端口A的第二支路经电阻R4与三极管G3的基极相连，该三极管G3的集电极经电阻R5与接地端PGND相连；该三极管G3的发射极经电阻R1与二极管D2的阴极相连，该二极管D2的阳极与输出端口A相连；该三极管G3的发射极还连接电容C1与驱动脉冲电流放大器U1的负电源端口相连；该驱动脉冲电流放大器U1的负电源端口与二极管DW1的阳极相连，该二极管DW1的阴极与接地PGND，在所述二极管DW1的阳极端和阴极端之间并接电容C3。2.根据权利要求1所述一种IGBT负压关断电路，其特征在于：所述电源正端口一支路经滤波电容C2与接地端PGND相连，所述电源正端口另一支路与电源端口相连，该接地端PGND为功率地线参考点。3.根据权利要求1所述一种IGBT负压关断电路，其特征在于：所述驱动脉冲电流放大器U1的型号为LTV341。4.根据权利要求1所述一种IGBT负压关断电路，其特征在于：功率管V1为MOS管或者IGBT管。

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