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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体元件包含栅极结构、多个源极漏极区域、介电层以及栅极接触。多个源极漏极区域于栅极结构的相对侧上。介电层于栅极结构上方。栅极接触于介电层中，其中栅极接触于栅极结构上方并电性耦合至栅极结构，其中远离栅极结构的栅极接触的上部具有第一宽度，靠近栅极结构的栅极接触的下部具有第二宽度，且介于上部与下部中间的栅极接触的中间部分具有第三宽度，其中第一宽度与第二宽度大于第三宽度。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包含：一栅极结构；多个源极漏极区域，于该栅极结构的相对侧上；一介电层，于该栅极结构上方；以及一栅极接触，于该介电层中，其中该栅极接触于该栅极结构上方并电性耦合至该栅极结构，其中远离该栅极结构的该栅极接触的一上部具有一第一宽度，靠近该栅极结构的该栅极接触的一下部具有一第二宽度，且介于该上部与该下部中间的该栅极接触的一中间部分具有一第三宽度，其中该第一宽度与该第二宽度大于该第三宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体元件
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