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申请/专利权人：横店集团东磁股份有限公司
摘要：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种激光晶化制备TBC太阳能电池的方法。本发明方法先生成磷扩散层，再沉积硼掺杂非晶硅层，然后借助局域激光晶化将硼掺杂非晶硅转化为硼掺杂多晶硅层，可有效提升晶化率并降低接触电阻，进而提升电池性能。本发明方法可有效避免常规工艺高温硼扩散过程中磷原子内扩严重现象，为当前TBC太阳能电池制备工艺提供了另一种新路径。
主权项：1.一种激光晶化制备TBC太阳能电池的方法，其特征在于包括：S1、硅片双面抛光；S2、背面沉积隧穿氧化层、本征多晶硅层；S3、磷扩散，使本征多晶硅层转为磷扩散层和PSG层；S4、激光开槽去除硼掺杂区和隔离区设计区域的PSG层；S5、碱清洗；S6、背面沉积隧穿氧化层、硼掺杂非晶硅层、硼掺杂掩膜层；S7、激光一次晶化S4开槽区的硼掺杂非晶硅层，形成硼掺杂多晶硅层；S8、激光二次晶化硼掺杂多晶硅层的预设栅线区域；S9、链氧处理；S10、激光开槽去除磷扩散区和隔离区设计区域的硼掺杂掩膜层；S11、去除绕镀层；S12、清洗制绒；S13、双面镀膜；S14、丝网印刷，烧结，光注入。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 横店集团东磁股份有限公司 一种激光晶化制备TBC太阳能电池的方法
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