买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：浙江海纳半导体股份有限公司

摘要：本发明涉及单晶硅抛光片加工技术领域，具体为一种去边设备，包括腐蚀基座、下压机构、模块对中机构和搬运机械手，腐蚀基座的顶部设置有硅片放置基孔，腐蚀基座的顶部外侧设置有腐蚀沟槽，腐蚀基座的中部竖直设置有气体进出通道，下压机构包括升降气缸，升降气缸的输出轴安装有下压气囊，模块对中机构包括旋转载台。因为可通过控制下压气囊与硅片的贴合度，从而可以实现精准隔离，完美保留平面上的氧化膜层。可通过控制下压气囊与硅片的贴合度，从而可以通过调节下压行程来实现不同厚度硅片的精准去边，设备的适应性广。可通过调节下压气囊内填充的液体温度，从而可调控去边腐蚀速率，进一步可提升生产效率。

主权项：1.一种去边设备，其特征在于：包括腐蚀基座（1）、下压机构（2）、模块对中机构（3）和搬运机械手（4），所述腐蚀基座（1）的顶部设置有硅片放置基孔（11），所述腐蚀基座（1）的顶部外侧设置有腐蚀沟槽（13），所述腐蚀基座（1）的中部竖直设置有气体进出通道（12），所述下压机构（2）包括升降气缸（22），所述升降气缸（22）的输出轴安装有下压气囊（21），所述模块对中机构（3）包括旋转载台（31），所述旋转载台（31）的底部一侧安装有红外探头（32），所述模块对中机构（3）的一侧设置有花篮（5）；所述气体进出通道（12）包含8-12个通道，其中一半为进气通道，一半为排气通道，进气通道通过气动阀连接HFN2管路，排气通道与排风管相连，导入废气处理系统；所述腐蚀沟槽（13）的宽度为4-8mm，深度为2-10mm，呈环状沟分布在腐蚀基座（1）的外周；所述下压气囊（21）为耐酸腐蚀的氟橡胶制品，外径比腐蚀基座（1）的外径大10-30mm，所述下压气囊（21）的厚度在30mm以上，具有充分的柔软性，所述下压气囊（21）的上部与升降气缸（22）的输出轴连接，通过升降气缸（22）控制下降行程及压力；所述下压气囊（21）的上部设置有气囊连接管（23）与外部连接，接通热气源或水源，同时设置有单向阀，保证下压时压力维持工艺值；所述腐蚀基座（1）的内外高差控制在0.5-5mm，满足不同厚度硅片的去边要求，且形状与硅片外形一致，有平边或NOTCH边，提高工艺气体与硅片接触时的一致性；所述腐蚀基座（1）上的气体进出通道（12）安排在同一层面，或根据硅片厚度采用上进下出模式，进气管路与出气管路间隔布置，提高腐蚀的均匀性；所述搬运机械手（4）采用一手多爪模式，一次搬运多枚硅片，所述腐蚀基座（1）、下压机构（2）、模块对中机构（3）在设备内配置多台套。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江海纳半导体股份有限公司 一种去边设备