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申请/专利权人：成都燎原星光电子有限责任公司
摘要：本实用新型公开了一种硅NPN型平面高频中功率晶体管，属于半导体器件制造领域，包括：硅外延、集电区、氧化层、基区、发射区、场限环、基极、发射极，集电区位于硅外延的上方，场限环位于集电区的内部，集电区与基区相连，发射区位于基区的内部，氧化层位于基区的上方，基极和发射极均位于氧化层的上方，氧化层刻蚀有场限环接触孔、基极接触孔和发射极接触孔，场限环接触孔将集电区与场限环连接，基极接触孔将基区与基极连接，发射极接触孔将发射区与发射极连接。本实用新型通过调整发射极长宽比例、发射结与集电结面积，能够提高晶体管的频率特性，提高晶体管的工作频率和集电极最大工作电流，同时无需改动标准工艺，加工工艺简单。
主权项：1.一种硅NPN型平面高频中功率晶体管，其特征在于，包括：硅外延0、集电区1、氧化层2、基区3、发射区4、场限环5、基极6、发射极7；所述集电区1位于硅外延0的上方，所述场限环5位于集电区1的内部，所述集电区1与基区3相连，所述发射区4位于基区3的内部，所述氧化层2位于基区3的上方，所述基极6和发射极7均位于氧化层2的上方；所述场限环5为方形环结构，内外环的间距为6μm。
全文数据：
权利要求：
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