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一种硅NPN型平面高频中功率晶体管 

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摘要:本实用新型公开了一种硅NPN型平面高频中功率晶体管,属于半导体器件制造领域,包括:硅外延、集电区、氧化层、基区、发射区、场限环、基极、发射极,集电区位于硅外延的上方,场限环位于集电区的内部,集电区与基区相连,发射区位于基区的内部,氧化层位于基区的上方,基极和发射极均位于氧化层的上方,氧化层刻蚀有场限环接触孔、基极接触孔和发射极接触孔,场限环接触孔将集电区与场限环连接,基极接触孔将基区与基极连接,发射极接触孔将发射区与发射极连接。本实用新型通过调整发射极长宽比例、发射结与集电结面积,能够提高晶体管的频率特性,提高晶体管的工作频率和集电极最大工作电流,同时无需改动标准工艺,加工工艺简单。

主权项:1.一种硅NPN型平面高频中功率晶体管,其特征在于,包括:硅外延0、集电区1、氧化层2、基区3、发射区4、场限环5、基极6、发射极7;所述集电区1位于硅外延0的上方,所述场限环5位于集电区1的内部,所述集电区1与基区3相连,所述发射区4位于基区3的内部,所述氧化层2位于基区3的上方,所述基极6和发射极7均位于氧化层2的上方;所述场限环5为方形环结构,内外环的间距为6μm。

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