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申请/专利权人：矽赫微科技(上海)有限公司
摘要：一种半导体晶片的静电带电去除方法，提供一种用于在半导体制造工艺中降低半导体晶片所带的静电的带电量的方法。在应用于半导体制造工艺的半导体晶片（W1、W2）的静电带电去除方法中，对于等离子体处理后的半导体晶片（W1、W2）供给氩气（30），削减半导体晶片（W1、W2）所带的静电的带电量。进而对等离子体处理后的半导体晶片（W1、W2）供给包含氩气和氢气的混合气体，接着供给氧气，从而省略对半导体晶片（W1、W2）的清洗处理并削减半导体晶片（W1、W2）所带的静电的带电量。
主权项：1.一种半导体晶片的静电带电去除方法，应用于半导体制造工艺，其中，对于在等离子体处理工序后的大气开放工序中暴露于大气的所述半导体晶片，从所述半导体晶片的平面中心朝向径向外侧供给氩气，在所述大气开放工序中削减所述半导体晶片所带的静电的带电量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 矽赫微科技(上海)有限公司 半导体晶片的静电带电去除方法
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