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申请/专利权人：华中科技大学;华南师范大学
摘要：本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种含钴的二维共轭酞菁框架及其制备方法和应用，包括以下步骤：以1,2,4,5‑四氰苯和可溶性钴盐为原料，1,8‑二氮杂环5,4,0十一‑7‑烯为催化剂，在有机溶剂中，进行溶剂热反应，制得所述含钴的二维共轭酞菁框架。本发明开发了一种含单钴原子的二维共轭酞菁框架作为一种新型的人工固体电解质界面，由于Co金属位的路易斯酸活性和氰基的强电子吸收特性，大量电荷转移到CPF骨架上，大大增强了对Li+的吸附，并调节Li+向无枝晶锂金属电池的分布，优于大多数已报道的SEI膜。
主权项：1.一种含钴的二维共轭酞菁框架的制备方法，其特征在于，所述含钴的二维共轭酞菁框架用于制备高压锂金属电池的人工固体电解质界面，包括以下步骤：以1,2,4,5-四氰苯和可溶性钴盐为原料，1,8-二氮杂环5,4,0十一-7-烯为催化剂，在有机溶剂中进行溶剂热反应，制得所述含钴的二维共轭酞菁框架。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 华南师范大学 一种含钴的二维共轭酞菁框架及其制备方法和应用
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