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一种从高品位含锗物料中回收锗的方法 

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申请/专利权人:云南驰宏国际锗业有限公司

摘要:本申请是关于一种从高品位含锗物料中回收锗的方法,包括以下步骤:1抽真空、充氩气置换;2维持单晶炉炉内一定的真空度,向单晶炉炉内充入一定量的氩气维持炉内氩气气氛;3融化物料;4除杂纯化;开启坩埚旋转,从单晶炉上方放下带籽晶的重锤,通过引晶、放肩,生长出结晶块;待结晶块成长至一定尺寸后提升籽晶位置至液面上方一定高度处进行冷却降温,冷却降温一段时间后,降低坩埚转速度,且降低籽晶位置使结晶块底面与聚集在液面上的浮渣接触浮渣就附着在结晶块上,然后提起结晶块至液面上方一定高度处;重复数次上述操作,完成除杂纯化;5冷却降温铸锭。该方法采用火法的方式进行处理,流程短、处理过程中不产生任何废液,同时对于锗的回收率较高达到98%以上,去除杂质效果较好。

主权项:1.一种从高品位含锗物料中回收锗的方法,其特征在于,包括以下步骤:1抽真空、充氩气置换把干燥过后的含锗物料置于单晶炉的坩埚中,对单晶炉进行抽真空后充入氩气置换处理;2维持单晶炉炉内一定的真空度,且向单晶炉炉内充入一定量的氩气维持炉内氩气气氛;3融化物料先升温对含锗物料充分融化以后,再降低温度将液面温度控制在937-950℃;4除杂纯化开启坩埚旋转,从单晶炉上方放下带籽晶的重锤,通过引晶、放肩,生长出结晶块;待结晶块成长至一定尺寸后提升籽晶位置至液面上方一定高度处进行冷却降温,冷却降温一段时间后,降低坩埚转速度,且降低籽晶位置使结晶块底面与聚集在液面上的浮渣接触浮渣就附着在结晶块上,然后提起结晶块至液面上方一定高度处;重复数次上述操作过程,完成除杂纯化;5冷却降温铸锭完成除杂纯化以后,通过功率控制逐步降低单晶炉加热功率直至0kw,关闭坩埚旋转,待金属液充分冷却凝固以后,打开炉盖,取出铸锭完成的锗金属块。

全文数据:

权利要求:

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