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申请/专利权人：常州正宇光伏科技有限公司
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种新型选择性钝化接触电池结构及其制备方法，包括如下操作步骤：采用N型硅片抛光5~10μm；背面PECVD法掺杂P+‑poly；正面酸洗及抛光；正面PECVD法掺杂N+‑poly；对正面非接触区激光开膜，去除表面的mask氧化层后进行poly去除清洗；再对正面激光开膜区激光开膜去除隧穿氧化层；对正面激光开膜区进行抛光后制绒；双面共退火；清洗去除正面PSG及背面BSG；双面依次沉积氧化铝和减反膜；双面印刷电极、烧结并光电注入，得到电池。本发明在N型硅片双面分别同管实现原位掺杂，隧穿层形成隧穿势垒，使得多子可以进行隧穿，而少子被阻挡，有利于提升理论开路电压。
主权项：1.一种新型选择性钝化接触电池结构的制备方法，其特征在于，包括如下操作步骤：S1：采用N型硅片进行抛光，抛光厚度为5~10μm；S2：背面进行第一隧穿氧化层、第一层i-poly、第二隧穿氧化层、第二层i-poly、硼掺杂及mask氧化层的制备；S3：正面酸洗去除mask氧化层并抛光；S4：正面进行隧穿氧化层、i-poly层、磷掺杂及mask氧化层的制备；S5：采用绿光激光器单次扫描，对正面非金属化接触区进行开膜，去除表面的mask氧化层；S6：对正面激光开膜区进行poly去除清洗；S7：采用绿光激光器单次扫描，对正面激光开膜区进行开膜，去除此区域的隧穿氧化层；S8：对正面激光开膜区先进行抛光，然后使用制绒液制绒；S9：同步完成正面和背面共退火，正面为N+-poly-Si选择性掺杂，背面为P+-poly-Si掺杂；S10：清洗去除正面PSG及背面BSG；S11：双面依次沉积氧化铝和减反膜；S12：在正面和背面分别制作电极以及栅线印刷，然后烧结并光电注入，得到电池。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州正宇光伏科技有限公司 一种新型选择性钝化接触电池结构及其制备方法
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