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申请/专利权人：包头美科硅能源有限公司;云南美科新能源发展有限公司
摘要：本发明涉及单晶硅制造技术领域，具体涉及一种磷锑共掺掺杂工艺方法。包括加料掺杂和装置补掺；所述加料掺杂为炉台正常加料时加掺；所述装置补掺为炉台不加料时补掺；所述加料掺杂为先根据头部目标电阻计算锑金属和磷金属掺杂量，再进行加掺；所述装置补掺为先根据补掺公式计算锑合金补掺量，再使用掺杂装置补掺；本发明通过磷锑掺杂金属共同补偿，前期锑金属主导影响电阻率，后期锑金属挥发，磷金属电阻补偿实现电阻率一致性，最终电阻率可实现头尾电阻率差异在0.1Ω之间，提升硅片效率。
主权项：1.一种磷锑共掺掺杂工艺方法，其特征在于，包括加料掺杂和装置补掺；所述加料掺杂为炉台正常加料时加掺；所述装置补掺为炉台不加料时补掺；所述加料掺杂为先根据头部目标电阻计算锑金属和磷金属掺杂量，再进行加掺；所述装置补掺为先根据补掺公式计算锑合金补掺量，再使用掺杂装置补掺；所述补掺公式如下所示： 其中剩料量为多次引放需补掺锑合金时的炉内剩料总重量，剩料量为多次引放需补掺锑合金时的炉内剩料总重量，总投料量为炉台引放前加入的总重量，补掺系数为根据实际挥发及分凝系数综合得出，初始锑合金为炉台引放前通过料筒加入的锑合金重量。
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权利要求：
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