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申请/专利权人：信越半导体株式会社
摘要：本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×1017atomscm3以上。由此，提供一种通过使单晶硅晶圆的表层的碳浓度为高浓度，且使表面的碳浓度分布均匀，从而能够提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
主权项：1.一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其特征在于，所述制造方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，通过以600℃以上850℃以下的温度保持5秒以上60秒以下的时间，从而对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及通过以1100℃以上且为硅熔点以下的温度保持10秒以上150秒以下的时间，从而进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一RTA处理及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×1017atomscm3以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 信越半导体株式会社 碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法
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