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申请/专利权人：东友精细化工有限公司
摘要：本发明提供蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法，上述蚀刻液组合物包含过硫酸铵、含氟化合物、含氯化合物、环状胺化合物、无机酸、硫酸盐和水，且以下数学式1所表示的Y值为2.6～11.0，数学式1中，NH4+的mmol、Cl‑的mmol和SO42‑的mmol各自的含义是，蚀刻液组合物所包含的NH4+、Cl‑和SO42‑的总摩尔数，从而能够将栅电极和栅极配线、源电极漏电极和数据配线一并蚀刻，能够将铜系金属膜以快的蚀刻速度均匀地一并湿式蚀刻，能够简化蚀刻工序，提高生产率，还确保优异的蚀刻特性。数学式1Y＝NH4+的mmol[Cl‑的mmol+SO42‑的mmol]。
主权项：1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，相对于蚀刻液组合物总重量，包含A过硫酸铵3.0～15.0重量％、B含氟化合物0.1～2.0重量％、C含氯化合物0.0001～1.0重量％、D环状胺化合物0.1～2.0重量％、E无机酸0.1～5.0重量％、F硫酸盐0.1～7.0重量％和G使组合物总重量成为100重量％的余量的水，所述蚀刻液组合物用于铜系金属膜的蚀刻，所述铜系金属膜为多层膜，所述多层膜包含选自铜膜和铜合金膜中的一种以上的膜、以及选自由钛系金属膜和铟氧化膜组成的组中的一种以上的膜，以下数学式1所表示的Y值为2.6～11.0，数学式1Y＝NH4+的mmol[Cl-的mmol+SO42-的mmol]所述数学式1中，NH4+的mmol、Cl-的mmol和SO42-的mmol各自的含义是，所述蚀刻液组合物所包含的NH4+、Cl-和SO42-的总摩尔数。
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百度查询： 东友精细化工有限公司 蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法
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