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申请/专利权人：SK恩普士有限公司
摘要：本发明公开了抛光垫和使用该抛光垫制备半导体器件的方法。具体地公开了一种用于半导体的化学机械平坦化工艺的抛光垫、该抛光垫的制备方法以及使用该抛光垫制备半导体器件的方法。根据一实施方案的抛光垫可以通过包括使用特定成分的固化剂形成的抛光层来实现低硬度。通过将抛光垫的表面粗糙度降低率和弹性恢复系数控制在特定范围内，可以提高抛光垫的机械性能，并改善出现在半导体衬底表面上的表面缺陷。还可以进一步提高抛光速率。
主权项：1.一种抛光垫，其包括抛光层，其中所述抛光层包括包含聚氨酯基预聚物、固化剂和发泡剂的组合物的固化产物，所述固化剂包括含有醚键的叔胺基多元醇，且所述抛光垫在25℃下的表面硬度为40肖氏D至60肖氏D、具有小于50％的表面粗糙度降低率RSk％，以及30或更小的弹性恢复系数RERI，所述表面粗糙度降低率RSk％由以下等式1表示，所述弹性恢复系数RERI由以下等式2表示：[等式1] 在等式1中，Sk1是抛光垫抛光前的核心粗糙深度，以及Sk2是在载体加压为4.0psi、载体转速为87rpm和压板转速为93rpm时，以250毫升分钟的速率喷射煅烧二氧化铈浆料的条件下，对半导体衬底的氧化硅层抛光60秒后测得的抛光垫的核心粗糙深度；且Sk1和Sk2分别是根据ISO25178-2标准，根据光学表面粗糙度计测量的抛光垫抛光前和抛光后的数据计算的值；[等式2] 在等式2中，RSk％如上述等式1定义，H25是在25℃下测量的抛光垫的肖氏D硬度，并且弹性恢复系数RERI是不包括单位的值之间的比；所述叔胺基多元醇由下式表示：[式] 在上式中，n为1至10的整数；所述叔胺基多元醇的重均分子量为400gmol至3,000gmol。
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权利要求：
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