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申请/专利权人：深圳扬兴科技有限公司

摘要：本发明涉及射频通信技术领域，揭露了一种宽温域射频时钟芯片及其温度补偿电路设计方法及系统，所述方法包括：构建待设计时钟芯片的芯片架构；构建待设计时钟芯片的多维传感器阵列，将多维传感器阵列集成至芯片架构中，得到传感器时钟芯片，确定传感器时钟芯片的射频组件，构建传感器时钟芯片的射频前段链路；建立射频前段链路的链路仿真模型，分析射频前段链路的链路性能；建立射频时钟芯片的温度补偿算法，构建射频时钟芯片的模拟补偿电路和数字补偿电路，将模拟补偿电路和数字补偿电路集成至射频时钟芯片中，得到宽温域射频时钟芯片。本发明可以提高时钟芯片在不同温度下的性能稳定性。

主权项：1.一种宽温域射频时钟芯片及其温度补偿电路设计方法，其特征在于，所述方法包括：获取待设计时钟芯片的应用需求，其中，所述应用需求包括应用场景、温度范围以及性能指标，通过所述应用需求，确定所述待设计时钟芯片的芯片材料，并基于所述芯片材料和应用需求，构建所述待设计时钟芯片的芯片架构；基于所述应用需求，构建所述待设计时钟芯片的多维传感器阵列，将所述多维传感器阵列集成至芯片架构中，得到传感器时钟芯片，确定所述传感器时钟芯片的射频组件，通过所述射频组件，构建所述传感器时钟芯片的射频前段链路，其中，所述基于所述应用需求，构建所述待设计时钟芯片的多维传感器阵列，包括：基于所述应用需求，分析所述待设计时钟芯片的传感器指标；通过所述传感器指标，确定所述待设计时钟芯片的目标传感器；分析所述待设计时钟芯片对应芯片架构的热敏感区域；通过所述热敏感区域，构建所述目标传感器的列阵布局；计算所述列阵布局的信号稳定系数；当所述信号稳定系数符合预设的信号稳定阈值时，利用所述列阵布局构建所述待设计时钟芯片的多维传感器阵列，所述分析所述待设计时钟芯片对应芯片架构的热敏感区域，包括：识别所述芯片架构的关键组件；分析所述关键组件的组件参数；建立所述芯片架构的热模型，并通过所述热模型构建计算所述芯片架构的热阻；基于所述组件参数和热阻，利用下述公式计算芯片架构的区域温度变化： ；其中，表示芯片架构的区域温度变化，表示热阻对应的封装热阻，表示热阻对应的散热器热阻，表示组件参数对应的晶体管负载电容，表示组件参数对应的电源电压，表示开关频率；基于所述区域温度变化，确定所述芯片架构的热敏感区域；建立所述射频前段链路的链路仿真模型，通过所述链路仿真模型分析所述射频前段链路的链路性能；当所述链路性能符合预设的链路性能阈值时，将所述射频前段链路集成至传感器时钟芯片中，得到射频时钟芯片，采集所述射频时钟芯片的温度数据和时钟频率数据，通过所述温度数据和时钟频率数据，构建所述射频时钟芯片的温度-频率关系模型；基于所述温度-频率关系模型，建立所述射频时钟芯片的温度补偿算法，通过所述温度补偿算法，构建所述射频时钟芯片的模拟补偿电路和数字补偿电路，将所述模拟补偿电路和数字补偿电路集成至射频时钟芯片中，得到宽温域射频时钟芯片。

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