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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本实用新型提供一种半导体装置、一种用于形成包括放电管理结构的半导体晶粒的技术及设备。放电管理结构可包括将金属层连接至电容器结构的电极层及位于电容器结构下方的衬底的接触结构例如，垂直内连线触及结构或“通孔”。接触结构具有不同的横截面积，此会基于克希何夫定律而使电容器结构与硅衬底之间的电压降增大。所述电压降可降低电容器结构进行放电而对金属层造成损坏的可能性。通过降低对金属层造成损坏的可能性，可减少可能与垂直内连线触及诱发的金属岛状件腐蚀相关联的缺陷。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：沟渠电容器结构，包括：第一组电极层，与第一电压极性对应；以及第二组电极层，与第二电压极性对应，其中所述第二电压极性与所述第一电压极性不同；第一组接触结构，包括第一子群组电极接触结构，所述第一子群组电极接触结构各自具有第一横截面积且对所述第一组电极层与第一导电层的一部分进行连接；以及第二组接触结构，包括第二子群组电极接触结构，所述第二子群组电极接触结构各自具有第二横截面积且对所述第二组电极层与第二导电层的一部分进行连接，其中所述第二横截面积相对于所述第一横截面积而言更大。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置
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