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申请/专利权人：重庆芯联微电子有限公司
摘要：一种套刻偏差确定方法及装置、存储介质、终端、计算机程序产品，方法包括：确定目标半导体器件每两个相邻的曝光层之间的补偿偏差，所述补偿偏差是至少基于样本半导体器件的对应两个曝光层在刻蚀后量测得到的第一样本套刻偏差确定的，所述目标半导体器件的各曝光层和所述样本半导体器件的各曝光层一一对应，且对应的曝光层工艺制程一致；在形成所述目标半导体器件的过程中，对所述目标半导体器件每两个相邻的曝光层，在光刻后量测当前曝光层相对于前一曝光层的套刻偏差，记为初步量测偏差；采用所述当前曝光层相对于所述前一曝光层之间的补偿偏差，对所述初步量测偏差进行补偿，得到补偿后量测偏差。上述方案可以提升套刻偏差的量测准确性。
主权项：1.一种套刻偏差确定方法，其特征在于，包括：确定目标半导体器件每两个相邻的曝光层之间的补偿偏差，所述补偿偏差是至少基于样本半导体器件的对应两个曝光层在刻蚀后量测得到的第一样本套刻偏差确定的，所述目标半导体器件的各曝光层和所述样本半导体器件的各曝光层一一对应，且对应的曝光层工艺制程一致；在形成所述目标半导体器件的过程中，对所述目标半导体器件每两个相邻的曝光层，在光刻后量测当前曝光层相对于前一曝光层的套刻偏差，记为初步量测偏差；采用所述当前曝光层相对于所述前一曝光层之间的补偿偏差，对所述初步量测偏差进行补偿，得到补偿后量测偏差。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆芯联微电子有限公司 套刻偏差确定方法及装置、存储介质、终端、计算机程序产品
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