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申请/专利权人：杭州正丰半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体领域，具体为一种半导体CVD工艺热控制方法及其陶瓷加热器，基于晶圆的表面初始温度数据与期望表面温度数据，确定预加热操作的操作参数；并构建预加热操作过程中陶瓷加热部件与晶圆之间的热传输模型，调整预加热操作的施加状态；基于CVD室的气流特征数据，确定晶圆与CVD室内部空气之间的热交换特征，以此预测晶圆发生温度漂移的区域位置信息；基于晶圆进行化学气相沉积初始阶段中的表面温度动态变化数据，预测晶圆在整个化学气相沉积过程中的热量传输趋势特征，并结合区域位置信息，确定进行保温操作的目标区域，以此对陶瓷加热部件进行热控制调整。本发明能够实现对晶圆的精确持续稳定温度控制。
主权项：1.一种半导体CVD工艺热控制方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：获取晶圆的表面初始温度数据，基于所述表面初始温度数据与期望表面目标温度，确定陶瓷加热部件对所述晶圆进行预加热操作的操作参数；基于所述陶瓷加热部件与所述晶圆之间的物理关系特征，构建所述预加热操作过程中所述陶瓷加热部件与所述晶圆之间的热传输模型，以此调整所述预加热操作的施加状态；当所述晶圆被加热到所述期望表面目标温度时，获取所述晶圆所在的CVD室的气流特征数据，对所述气流特征数据进行分析，确定所述晶圆与所述CVD室内部空气之间的热交换特征；基于所述热交换特征，预测所述晶圆发生温度漂移的区域位置信息；获取所述晶圆进行化学气相沉积初始阶段中的表面温度动态变化数据，对所述表面温度动态变化数据进行分析，预测所述晶圆在整个化学气相沉积过程中的热量传输趋势特征；基于所述区域位置信息和所述热量传输趋势特征，确定所述陶瓷加热部件对所述晶圆进行保温操作的目标区域；再基于所述目标区域，对所述陶瓷加热部件进行热控制调整。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州正丰半导体科技有限公司 一种半导体CVD工艺热控制方法及其陶瓷加热器
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