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申请/专利权人：上海音特电子有限公司

摘要：本发明公开了一种用于玻璃钝化的二极管切割方法，涉及二极管切割技术领域。本发明的产品确认及刀片选择具体是根据玻璃纯化的二极管产品具体参数选择具体的切割刀片，并进行清洗纯水的参数确定，清洗纯水的参数确定包括水温、水压及纯水的流量参数；进行实际的切割操作：包括放入至工作台前进行检查有无膜破、颗粒、杂物及膜屑的不良情况；使用基准十字核准法查找十字路口，在将基准线与切割道重合；校准后检查并确保刀痕在控制两线内；通过显微镜对芯片切割有效性管控和检验；使用本发明处理二极管芯片划片后的稳定明显提高，解决切偏、崩边、裂痕、划伤问题，可达到汽车级以上产品要求。

主权项：1.一种用于玻璃钝化的二极管切割方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、产品确认及刀片选择：根据玻璃纯化的二极管产品具体参数选择具体的切割刀片，并进行清洗纯水的参数确定，清洗纯水的参数确定包括水温、水压及纯水的流量参数；具体包括如下分步骤：S11、核对产品品种、批号、片数、蓝膜厚度以及圆片厚度是否与工程文件一致；S12、确认好产品品类，对玻璃钝化的二极管产品，选择切割刀片的方法为：刃剩余量a≥晶圆厚度b+膜切入量c+刀刃剩余安全量d；其中，刃剩余量a为刀片切入蓝膜以及晶圆后的余量高度；b为0.02mm，c为0.05mm；S13、切割的进刀速度根据玻璃的厚度进行选择，二极管功率器件的防氧化的玻璃钝化层厚度决定刀片速度；当防氧化的玻璃钝化层厚度为10～50um，刀片切割速度为35～20mm秒，芯片结深为50～55A埃，主轴回转数38000r.p.m+500r.p.m；当防氧化的玻璃钝化层厚度为51um～55um，刀片切割速度为19～15mm秒，芯片结深为50～55A埃，主轴回转数38000r.p.m+500r.p.m；当防氧化的玻璃钝化层厚度为56um，刀片切割速度为小于14mm秒，芯片结深为50～55A埃，主轴回转数45000r.p.m+500r.p.m；S14、确认好刀片与切割刀的走刀速度，再确认切割的清洗水的电阻率及温度，清洗水为纯水，纯水在切割过程中起来静热和清洗切割的残留物，所述纯水中加入二氧化碳发泡工艺，二氧化碳的纯度为99.5％；S15、清洗水的流速控制：清洗水选择0.8-1.2Lmin流速，同时考虑水的表面张力，选择25℃纯水的达因值在72dyncm+5％的纯水；S2、根据S1的步骤工艺要求确认后，进行实际的切割操作，包括如下分步骤：S21、使用框架和蓝膜固定好的待切割产品，放入至工作台前进行检查有无膜破、颗粒、杂物及膜屑的不良情况；S22、使用Z-EM软件，手动校准时，调节刀片与晶圆形成的夹角θ角，使刀片的基准线与切割道在一条水平线上；若自动校准切割设备，需要品质管控人员确认首件和基准资料；S23、使用基准十字核准法，在Z-EM软件通过工业相机获取的芯片图形上查找十字路口，在将基准线与切割道重合；基准线与切割道校准完成后，使用Z-EM软件测量对应的芯片尺寸是否符合规范要求；进入切割状态后，切割在产品上的第一刀由品质管控人员检查切割刀痕位置、刀痕状态，是否需要调整，刀痕要确保在控制两线内；S3、芯片切割的有效性管控及检验方法：使用100倍显微镜进行芯片检查，晶粒上不允许有水珠和油污及光阻残留；二极管的PAD氧化、腐蚀或变黄色、咖啡色、黑褐色或有七彩色均属于管控失效；显微镜下观察二极管的PAD上有荷叶状或蝴蝶状图案，观察其颜色偏黄或偏灰且边界明显，确认纯水的温度及表面张力参数。

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