龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：厦门美日丰创光罩有限公司
摘要：本发明涉及一种PSM制程中去除铬残留的蚀刻方法，其是在ICP机台内完成主蚀刻制程后，将偏置电压调节为，仅使用化学蚀刻将中心的Cr残留去除，由于单纯的化学蚀刻由于仅有化学反应，氯氧电浆对于Mosi层和二氧化硅层的时刻速率远小于蚀刻Cr的速率，因此采用此种蚀刻搭配可以在保证Mosi层的相位和穿透都符合要求的前提下，将中心的Cr残留去除，保证产品品质的完整性。
主权项：1.一种PSM制程中去除铬残留的蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供光罩基板，基板上具有MoSi层，MoSi层上覆盖有Cr层，Cr层还覆盖有光阻；光罩基板经图形描画、曝光显影制程后将图形区域的光阻去除；S2、将光罩基板放入ICP机台内，利用ICP机台的射频电源使反应气体生成反应活性高的离子和电子，对Cr层进行物理轰击和化学反应，将未被光阻覆盖区域的Cr层蚀刻掉；S3、在Cr层主蚀刻完成之后，将ICP机台的偏置电压调节为零，仅使用化学蚀刻的方式将中心的Cr残留去除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门美日丰创光罩有限公司 一种PSM制程中去除铬残留的蚀刻方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号