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申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社
摘要：本发明涉及RAMO4基板及其制造方法、以及III族氮化物半导体。本发明提供一种在形成III族氮化物结晶时或其制作后难以破裂的RAMO4基板。制成下述RAMO4基板，其包含通式RAMO4所示的单晶体通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自FeIII、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、FeII、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素，在通过上述RAMO4基板中心的直线上测定多个位置Xi的X射线峰位置ωi时，由该ωi和测定位置Xi算出的结晶面的曲率半径r的绝对值为52m以上，该ω与测定位置Xi的相关系数ρ的平方为0.81以上。
主权项：1.一种RAMO4基板，其包含通式RAMO4所示的单晶体，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自FeIII、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、FeII、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素，在通过所述RAMO4基板中心的直线上的多个位置Xi处测定X射线摇摆曲线，确定各位置Xi处的X射线摇摆曲线的衍射光谱的X射线峰位置ωi，其中，i＝1，2，3，…，n，基于由X射线峰位置ωi与位置Xi的关系得到的回归直线，算出结晶面的曲率半径r的绝对值，进而，基于X射线峰位置ωi与位置Xi，算出通过下述式算出的相关系数ρ的平方时， 表示ωi的平均值，表示Xi的平均值，n表示测定位置的数量，所述曲率半径r为52m以上，且所述相关系数ρ的平方为0.81以上，用ω＝aX+b表示所述回归直线时，a和b用下述式表示， 表示ωi的平均值，表示Xi的平均值；所述曲率半径r用下述式表示，
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