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申请/专利权人：昆明理工大学
摘要：本发明属于纳米线技术领域，具体涉及一种大面积纳米线阵列膜及其制备方法。本发明在模板法的基础上，通过氟化物等离子体刻蚀三氧化二铝、二氧化钛或二氧化锆等氧化物管膜，裸露出其中的沉积碳、金属、合金、氧化物等填充物，从而得到大面积纳米线阵列膜，而刻蚀三氧化二铝、二氧化钛或二氧化锆等氧化物管膜的副产物氟化物则升华脱离体系。该方法易于控制等离子体刻蚀的进程，副产物易分离，降低了制备难度。
主权项：1.一种In0.9Sn0.1纳米线阵列膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：将长为5cm的正方形铝片采用机械加工方式去除表面的氧化层；电解液由草酸、水配制而成，草酸的含量为0.3M；将处理好的铝片放入反应装置，暴露在电解液中的铝片直径为4cm；使用冰箱将电解液温度固定在5℃，使用铂箔作为阴极，在阳极电压为40V条件下阳极氧化2小时，得到平均孔径60nm的纳米管阵列膜；反应结束从电解液中立即取出样品且用去离子水清洗后，放入液溴的甲醇溶液中，液溴与甲醇的体积比为1:5，常温下反应12h，去除铝基底；从液溴的甲醇溶液中取出样品后，用无水乙醇清洗干净，放入临界CO2气氛干燥箱中进行干燥，获得底部带有阻挡层的三氧化二铝纳米管阵列膜；采用物理液压法制备的In0.9Sn0.1纳米线阵列，具体步骤为：将先前制备的三氧化二铝纳米管阵列膜正面朝上放在真空液压装置中，再将熔炼好的In0.9Sn0.1压成片状放置在阵列膜上方；打开真空泵，将装置温度升至170℃，保持10分钟，合金熔化并散布在阵列膜表面，然后施加一个液压力，将合金注入纳米管阵列膜中；降至室温后剥离剩余的In0.9Sn0.1片,再超声清洗16h；将膜的底部朝上放入含有六氟化硫等离子体清洗仪中进行模板的刻蚀，功率40kW，放置时间为24h，反应后既得In0.9Sn0.1纳米线阵列膜。
全文数据：
权利要求：
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