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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本申请公开了一种碲半导体薄膜的制备方法，以及得到的碲半导体薄膜、相关制备仪器、应用。所述制备方法包括：将Te源进行气相传输沉积，获得所述碲半导体薄膜。本申请提供了一种碲半导体薄膜的制备方法，气相传输沉积Vaportransportdeposition法与热蒸发法和磁控溅射方法相比之下具有操作简便、设备简单、生长成本低、可实时观察基于VTD设备的翻盖设计等优点。
主权项：1.一种碲半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将Te源进行气相传输沉积，获得所述碲半导体薄膜；所述制备方法包括：S100、在0.02~0.3torr的条件下，将放置于气相传输沉积管加热区的固相Te源，加热，获得气相Te；S200、将所述气相Te沉积在位于气相传输沉积管非加热区的基板上，获得所述碲半导体薄膜；沉积时间为6~10min；所述基板与水平方向的夹角为α，α的取值范围为70°≤α≤80°；所述加热的条件为：温度：450~470℃；升温速率：15~25℃min。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 碲半导体薄膜及其制备方法、设备、应用
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