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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明涉及一种背照式图像传感器及其制造方法，该背照式图像传感器及背照式图像传感器的制造方法中，在半导体衬底的外围区域设置或形成了隔离墙，利用隔离墙将光敏区域与外围区域的电路元件和参考像素隔开，隔离墙的隔离方式为物理隔离，可以将电路元件以及参考像素产生的漏电流有效隔离在光敏区域外，从而解决了背照式图像传感器的光敏区域边缘发光问题。
主权项：1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，具有正面和与所述正面相对的背面，所述半导体衬底布置有光敏区域和位于所述光敏区域外围的外围区域，所述半导体衬底在所述光敏区域设置有多个光敏像素，在所述外围区域设置有电路元件和参考像素；层间介质层，设置于所述半导体衬底的正面一侧；背面介质层，设置于所述半导体衬底的背面一侧；阻光结构，设置于所述半导体衬底的背面上方，且沿所述半导体衬底的背面的垂直方向在所述多个光敏像素之间及所述电路元件和参考像素上方设置，所述背面介质层填充所述阻光结构限定出的开口并掩埋所述阻光结构；以及，隔离墙，在所述外围区域沿所述半导体衬底的厚度方向穿过所述背面介质层、所述半导体衬底以及至少部分厚度的所述层间介质层，所述电路元件和所述参考像素位于所述隔离墙的同一侧，所述光敏区域位于所述隔离墙的另一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 背照式图像传感器及其制造方法
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