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申请/专利权人:南京信息工程大学
摘要:本发明公开电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管,属于光电晶体管技术领域;光电晶体管包括基底,基底上设置有栅极,栅极上包裹有绝缘层,绝缘层上设置有有源层,有源层包括两层硒化铅薄膜以及包裹在二者之间的硫化铅量子点层;硒化铅薄膜的右端设置有源极,绝缘层和有源层之间的左端设置有漏极;栅极采用电栅形式,利用栅极电压与光电反应的关系模型与卷积神经网络模型,内部形成卷积核,用算法测试验证卷积核,利用卷积神经网络模型构建样本校正,用算法测试验证,实现对光的寻址,提高了光电晶体管的准确性;且该光电晶体管具有较好的偏振敏感和宽光谱响应特性。
主权项:1.电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管,其特征在于,包括基底1,基底1上设置有栅极2,栅极2上包裹有绝缘层3,绝缘层3上设置有有源层,有源层包括两层硒化铅薄膜5以及包裹在二者之间的硫化铅量子点层6;硒化铅薄膜5的右端设置有源极7,绝缘层3和有源层之间的左端设置有漏极4。
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百度查询: 南京信息工程大学 电栅自卷积硫化铅量子点夹层的硒化铅薄膜光电晶体管
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