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一种大尺寸单晶的长晶方法 

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申请/专利权人:武汉金信新材料有限公司

摘要:本发明涉及加工工艺领域,尤其涉及一种大尺寸单晶的长晶方法,本发明通过固定籽晶于单晶材料液面,提拉籽晶以牵引单晶材料生长,获取长晶初期的籽晶夹头提拉方向的受力值以及生长单晶的轮廓特征,依据生长单晶的轮廓特征分析中部轮廓宽度与液面轮廓宽度的特征差异量,结合籽晶夹头提拉方向的受力值波动计算长晶延展表征系数,判定单晶材料的长晶延展类别,确定工艺参数,牵引单晶材料生长,依据长晶延展表征系数确定籽晶夹头的提拉速度,依据生长单晶的轮廓特征的变化速率判定是否符合形态变异标准,以进行梯度提拉并同步调整单晶材料的温度,通过上述过程,保证大尺寸单晶长晶的完整性和连续性。

主权项:1.一种大尺寸单晶的长晶方法,其特征在于,包括:步骤S1,固定籽晶于单晶材料液面,提拉籽晶以牵引单晶材料生长,获取长晶初期的籽晶夹头提拉方向的受力值以及生长单晶的轮廓特征;步骤S2,依据生长单晶的轮廓特征分析生长单晶的中部轮廓宽度与液面轮廓宽度的特征差异量,结合所述籽晶夹头提拉方向的受力值波动计算长晶延展表征系数,以判定所述单晶材料的长晶延展类别;步骤S3,依据所述单晶材料的长晶延展类别,确定工艺参数,牵引单晶材料生长,包括,依据所述长晶延展表征系数确定籽晶夹头的提拉速度,依据生长单晶的轮廓特征的变化速率判定是否符合形态变异标准,以进行梯度提拉,同步提升单晶材料的温度,其中,所述梯度提拉包括,停止提拉,经过预定时长开始提拉,所述预定时长基于轮廓特征的最大宽度所确定;或,维持基准提拉速度迁移单晶材料生长。

全文数据:

权利要求:

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