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申请/专利权人：美蓓亚功率半导体株式会社
摘要：本发明提供一种功率半导体模组的局部放电原因推断方法，能够使用局部放电试验中的放电电荷量的时序数据，来简易且自动地推断局部放电原因。一种功率半导体模组的局部放电原因推断方法，用于推断功率半导体模组的局部放电试验时的局部放电原因，其特征在于，包括：a测定步骤，对功率半导体模组施加电压模式存在变化的试验电压模式，测定由所述功率半导体模组的局部放电引起的电荷量；b特征量提取步骤，提取至少包括第一期间中的电荷量的平均值即第一特征量、和第二期间中的电荷量的平均值即第二特征量在内的多个特征量；和c推断步骤，基于所述多个特征量推断局部放电原因。
主权项：1.一种功率半导体模组的局部放电原因推断方法，用于推断功率半导体模组的局部放电试验时的局部放电原因，其特征在于，包括：a测定步骤，对功率半导体模组施加电压模式存在变化的试验电压模式，测定由所述功率半导体模组的局部放电引起的电荷量；b特征量提取步骤，提取至少包括第一期间中的电荷量的平均值即第一特征量、和第二期间中的电荷量的平均值即第二特征量在内的多个特征量；和c推断步骤，基于所述多个特征量推断局部放电原因。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美蓓亚功率半导体株式会社 功率半导体模组的局部放电原因推断方法、功率半导体模组的局部放电原因推断装置
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