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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十研究所
摘要：本发明涉及射频前端技术领域，具体公开了一种基于玻璃基的多层SiP封装的射频连接结构，包括由上至下层叠设置的接地金属层一、介质层一、信号金属层、介质层二、接地金属层二；所述信号金属层包括微带线、带状线和切角微带，所述带状线、切角微带同侧设置且分别与微带线连接；在所介质层二上且位于切角微带的外侧设置有金属通孔。本发明满足了键合焊盘所需的线宽，又降低了微带线到带状线传输的损耗，改善了信号在链路的传输性能。
主权项：1.一种基于玻璃基的多层SiP封装的射频连接结构，其特征在于，包括由上至下层叠设置的接地金属层一、介质层一、信号金属层、介质层二、接地金属层二；所述信号金属层包括微带线、带状线和切角微带，所述带状线、切角微带同侧设置且分别与微带线连接；在所介质层二上且位于切角微带的外侧设置有金属通孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十研究所 基于玻璃基的多层SiP封装的射频连接结构
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