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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种LPCVD原位掺杂多晶硅薄膜的制造方法，提供用于LPCVD原位掺杂多晶硅的炉管，炉管中的腔体设置有多个槽位间距小于等于目标距离的晶舟，晶舟上设置有衬底；调节腔体中的温度为520℃‑540℃，之后在腔体中通入硅烷和磷烷，在晶圆上形成掺杂型的第一多晶硅膜层；调节腔体中的温度为560℃‑580℃，之后在腔体中通入硅烷和磷烷，在第一多晶硅膜层上形成掺杂型的第二多晶硅膜层，使得第一、二多晶硅膜层上的缺陷数量低于目标数量。本发明能够减少LPCVD原位掺杂多晶硅炉管在采用槽位较多的、槽位间距较小的晶舟时出现的工艺缺陷。
主权项：1.一种LPCVD原位掺杂多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供用于LPCVD原位掺杂多晶硅的炉管，所述炉管中的腔体设置有多个槽位间距小于等于目标距离的晶舟，所述晶舟上设置有衬底；步骤二、调节所述腔体中的温度为520℃-540℃，之后在所述腔体中通入硅烷和磷烷，在所述晶圆上形成掺杂不定型的第一多晶硅膜层；步骤三、调节所述腔体中的温度为560℃-580℃，之后在所述腔体中通入硅烷和磷烷，在所述第一多晶硅膜层上形成掺杂型的第二多晶硅膜层，使得所述第一、二多晶硅膜层上的缺陷数量低于目标数量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 LPCVD原位掺杂多晶硅薄膜的制造方法
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