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一种大厚度光刻胶微结构的制备方法 

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申请/专利权人:中国工程物理研究院激光聚变研究中心

摘要:本发明公开了一种大厚度光刻胶微结构的制备方法,包括:对基底进行无水乙醇超声清洗、纯水冲洗、高纯氮气吹干,在基底上采用磁控溅射法镀金属种子层,并采用六甲基二硅氮烷(HDMS)进行表面预处理;将干膜光刻胶在常温静置后预热处理,再对表面进行氩等离子体处理,采用真空吸附将基底固定在底板上,用滚轮贴覆干膜光刻胶,重复贴覆多次;贴覆后完成干膜光刻胶曝光、显影,然后清洗、后烘,最后得到光刻胶微结构。本发明采用干膜光刻胶多层贴覆;采用滚轮对单层干膜光刻胶热处理,可使膜层贴附平整并释放内应力;在每层干膜光刻胶贴覆之前,采用氩等离子体对干膜光刻胶表面预处理,以增强膜层之间的结合力,进一步提高成型质量。

主权项:1.一种大厚度光刻胶微结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、对基底进行用丙酮、异丙醇、无水乙醇按顺序进行超声清洗、纯水冲洗、高纯氮气吹干,然后在基底上采用磁控溅射法镀金属种子层,并采用六甲基二硅氮烷对金属种子层进行表面预处理;步骤二、将干膜光刻胶在常温静置,再对干膜光刻胶进行预热处理,然后再对干膜光刻胶表面进行氩等离子体处理,待用,采用真空吸附将基底固定在底板上,然后用滚轮在金属种子层上贴覆干膜光刻胶,重复贴覆多次;步骤三、贴覆完成后在干膜光刻胶上放上掩膜版,然后曝光、显影,曝光部分的干膜光刻胶被溶解,未曝光部分的干膜光刻胶保留下来,形成所需的光刻胶微结构,然后对光刻胶微结构进行清洗和后烘处理。

全文数据:

权利要求:

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